|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CDRH125NP-221MC |
|
|
SUMIDA
|
1 543
|
60.55
|
|
|
|
CDRH125NP-221MC |
|
|
|
|
86.00
|
|
|
|
CDRH125NP-221MC |
|
|
SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
7 880
|
11.64
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
2 976
|
3.67
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
82 475
|
4.92
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
30.60
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
4 437
|
10.82
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
888
|
5.11
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
130 621
|
4.12
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
20 736
|
5.12
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.52
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
6.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
440
|
9.05
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
49 575
|
2.21
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
26 400
|
2.54
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2.69
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
53 808
|
3.60
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А
|
|
17
|
12.00
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
JNR13S500L |
|
Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
|
|
28.00
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
TOKMAS
|
2 520
|
5.13
|
|
|
|
MBRA340T3G |
|
|
FUXIN
|
8 698
|
6.39
|
|
|
|
STB9NK50ZT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STB9NK50ZT4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STB9NK50ZT4 |
|
|
|
1
|
108.00
|
|
|
|
STB9NK50ZT4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|