2 ОУ бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 3300 нА, Iвых = 50 мА, Iп = 7 мА, Uп = 5...36 В, -40...+85°C, SOIC8 без свинца. |
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 5 V ~ 36 V, ±2.5 V ~ 18 V |
Ток выходной / канал | 50mA |
Ток выходной | 6.6mA |
Напряжение входного смещения | 500µV |
Ток - входного смещения | 3.3µA |
Полоса пропускания -3Дб | 50MHz |
Полоса пропускания | 50MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 350 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | Voltage Feedback |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|