|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ECAP 470/50V 1021 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные, 470мкФ, 50 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/50V 1021 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные, 470мкФ, 50 В, 105С
|
|
|
67.20
|
|
|
|
ECAP 470/50V 1021 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные, 470мкФ, 50 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
|
|
99.44
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
ИНДОНЕЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
|
|
176.24
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
14
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LPC1343FBD48 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
LPC1343FBD48 |
|
|
|
|
|
|
|
|
LPC1343FBD48 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LPC1343FBD48 |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
RLB0712-100KL |
|
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10%
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0712-100KL |
|
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10%
|
|
|
66.00
|
|