Версия для печати
Технические характеристики ADG411BNZ

Корпус	16-PDIP
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	100pA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	12V, ±15V
Напряжение питания источника	Single, Dual Supply
Сопротивление (On-State)	35 Ohm
Каналы	4 x SPST - NC
Функция	Switch
Серия	LC²MOS
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Аналоговые ключи, мультиплексоры, демультиплексоры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	ANALOG DEVICES
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...			1 362.40
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	ANALOG
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	Analog Devices Inc
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	КИТАЙ
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	AD1
		AD620BNZ		Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	NO NAME
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	Analog Devices Inc
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
		AD680JTZ		Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
		AT28C256-15PC			ATMEL
		AT28C256-15PC
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).			230.96
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	STMicroelectronics
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTR
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST1
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	SGS THOMSON
		M27C256B-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRO
		К1156ЕН5ВП		Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	НТЦ СИТ
		К1156ЕН5ВП		Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	СИТ
		К1156ЕН5ВП		Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.		1	79.20
		К1156ЕН5ВП		Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.	НТЦ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"