Версия для печати
Технические характеристики ALD110902PAL
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | EPAD® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4.2V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 220mV @ 1µA |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 8-PDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | PIC16F84A-04I/P
Ядро PIC16FXXРазрядность 8Тактовая частота, МГц 10Объем ROM-памяти 1KОбъем RAM-памяти 68Внутренний АЦП, кол-во каналов нетВнутренний ЦАП, кол-во канал...
Купить |
 | IRF7811W
Hexfet power mosfets discrete n-channel
Купить |
 | MAX1617MEE
датчик температуры, QSOP16
Купить |
