|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
100МКФ 63В (10Х21, АКС) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
100МКФ 63В (10Х21, АКС) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63В
|
|
|
28.80
|
|
|
|
10МКФ 160В (10X13) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 160В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
10МКФ 160В (10X13) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 160В
|
|
|
16.80
|
|
|
|
ADM3311EARU |
|
Интерфейс RS-232 460кБит/с, Uпит=3.3В, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM3311EARU |
|
Интерфейс RS-232 460кБит/с, Uпит=3.3В, -40°С:+85°C
|
|
|
341.68
|
|
|
|
ADM3311EARU |
|
Интерфейс RS-232 460кБит/с, Uпит=3.3В, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM3311EARU |
|
Интерфейс RS-232 460кБит/с, Uпит=3.3В, -40°С:+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
39
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
|
|
146.96
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
SILICONIX
|
1
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
INTERSIL
|
5
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
Intersil
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
DG412DY |
|
Ключ аналоговый Четыре прецизионных 35 Ом
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
700
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
42.12
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
52
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
364
|
|
|