1206-X7R-470PF 10% 50V
Керамический конденсатор 470 пФ 50 В
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
1206-X7R-470PF 10% 50V |
 |
1.72
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики 1206-X7R-470PF 10% 50V
| Тип | Керамический |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 1206 |
| Емкость | 470 пФ |
| Номинальное напряжение | 50 В |
| Температурный коэфициент | X7R |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Синонимы от поставщиков: 1206-X7R-470pF 10% 50V ; 1206-X7R ; 1206 X7R ; 1206 — X7R ; 1206X7R ; конденсатор 1206-X7R ;
С этим товаром покупают:
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2512-27K 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
593
|
2.80
|
|
|
|
|
BRS-1A12 |
|
|
BESTAR
|
1 392
|
137.76
|
|
|
|
|
BRS-1A12 |
|
|
|
76
|
114.40
|
|
 |
 |
IR2011S |
|
SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2011S |
|
SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)
|
|
|
262.16
|
|
|
|
|
IR2011S |
|
SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
IR2011S |
|
SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (200V, 1.0/1.0A)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
VBSEMI
|
28 219
|
6.31
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HXY
|
14 277
|
2.25
|
|
|
|
|
С2-29В-1-300 КОМ-0,5% |
|
|
|
|
|
|
