Версия для печати
Технические характеристики BC636

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Power - Max	1W
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...		1 350	5.28
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	КРЕМНИЙ	800	13.77
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	АЛЕКСАНДРОВ	6 280	6.00
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	БРЯНСК	731	8.00
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	RUS
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	МИНСК	1 114	8.00
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	ЭЛЕКС
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ502Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...	ДАЛЕКС	88	13.78

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC637G			ON Semiconductor
		BC637G			ONS
		BC637G			ON SEMICONDUCTO
		BC637G
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz			6.36
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	UNKNOWN
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR	2 416
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS	152
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	Fairchild Semiconductor
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ТАИЛАНД
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ONS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC1
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	HOTTECH	560	5.90
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	JSCJ	11 401	2.85
		MPSL01 NPN 120V 0.2A 625MW 60MHZ TO92			FAIRCHILD
		MPSL01 NPN 120V 0.2A 625MW 60MHZ TO92
		WH1602B-YYH-CTK		ЖКИ 16х2, англо-русский, 5В	WINSTAR
		WH1602B-YYH-CTK		ЖКИ 16х2, англо-русский, 5В			720.00
		СП5-2ВБ 0.5 470 5%
		СП5-2ВБ 0.5 470 5%			КОНТАКТ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"