BC848CLT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2512-300J | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| IGW75N60H3 | INFINEON |
|
|
|||||
| IGW75N60H3 |
|
|
||||||
| L78L15ABUTR | ST MICROELECTRONICS | 1 760 | 16.73 | |||||
| L78L15ABUTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L78L15ABUTR |
|
|
||||||
| L78L15ABUTR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| L78L15ABUTR | STMICROELECTR |
|
|
|||||
 |
LM211DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM211DR |
|
|
|||||
|
|
LM211DR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||||
|
|
LM211DR | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM211DR | UMW | 6 824 | 14.15 | ||||
| С5-5-8-68 ОМ-1% | 3 | 28.16 |
