|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
62 331
|
2.05
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
79 880
|
2.24
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
709
|
3.62
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
24 491
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
379 777
|
1.43
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
90 365
|
1.09
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
24 000
|
1.15
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
15 200
|
6.89
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
54 452
|
1.22
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
196
|
1.39
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
285 564
|
1.64
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
3 843
|
1.46
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
7 856
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
8 832
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 032
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
БРЕСТ
|
10 731
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
266
|
6.63
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
DC COMPONENTS
|
115 275
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
80
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
2 508
|
1.38
|
|
|
|
DS9503P |
|
Диод электростатической защиты со встроенными резисторами
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS9503P |
|
Диод электростатической защиты со встроенными резисторами
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS9503P |
|
Диод электростатической защиты со встроенными резисторами
|
|
|
73.00
|
|
|
|
DS9503P |
|
Диод электростатической защиты со встроенными резисторами
|
MAX
|
|
|
|
|
|
L7912CV |
|
Линейный отриц. стабилизатор напряжения -12В, 4%,1.5A, Vinmax=-35В Udrop=1.4В
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 200
|
45.90
|
|
|
|
L7912CV |
|
Линейный отриц. стабилизатор напряжения -12В, 4%,1.5A, Vinmax=-35В Udrop=1.4В
|
|
|
48.00
|
|
|
|
L7912CV |
|
Линейный отриц. стабилизатор напряжения -12В, 4%,1.5A, Vinmax=-35В Udrop=1.4В
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7912CV |
|
Линейный отриц. стабилизатор напряжения -12В, 4%,1.5A, Vinmax=-35В Udrop=1.4В
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7912CV |
|
Линейный отриц. стабилизатор напряжения -12В, 4%,1.5A, Vinmax=-35В Udrop=1.4В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
L7912CV |
|
Линейный отриц. стабилизатор напряжения -12В, 4%,1.5A, Vinmax=-35В Udrop=1.4В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7912CV |
|
Линейный отриц. стабилизатор напряжения -12В, 4%,1.5A, Vinmax=-35В Udrop=1.4В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
33
|
|
|
|
|
L7912CV |
|
Линейный отриц. стабилизатор напряжения -12В, 4%,1.5A, Vinmax=-35В Udrop=1.4В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
|
16
|
72.00
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
TEXAS
|
|
|
|