|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
22R104 |
|
Катушка индуктивности 100мкГн, I = 0.66A (DC), монтаж в отверстие, диам/расст между ...
|
C&D TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
22R104 |
|
Катушка индуктивности 100мкГн, I = 0.66A (DC), монтаж в отверстие, диам/расст между ...
|
|
|
94.00
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
97 104
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
5 333
|
2.38
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
23 808
|
2.85
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 000
|
1.28
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
57
|
3.29
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.90
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
74 594
|
1.83
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
83 766
|
1.97
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
|
64 385
|
1.14
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DC COMPONENTS
|
4 691
|
2.60
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
24
|
1.60
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DIOTEC
|
29 876
|
2.17
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 230
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
18 568
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
HOTTECH
|
67 680
|
1.30
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
YJ
|
864 722
|
1.43
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
SUNTAN
|
33 033
|
1.28
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
LGA0410820UHK(EC36) |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LGA0410820UHK(EC36) |
|
|
CHINA NATIONAL
|
|
|
|
|
|
TA2003P |
|
AM/FM тракт радиоприемника, Ucc=1.8-7V
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TA2003P |
|
AM/FM тракт радиоприемника, Ucc=1.8-7V
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TA2003P |
|
AM/FM тракт радиоприемника, Ucc=1.8-7V
|
|
|
56.36
|
|
|
|
TA2003P |
|
AM/FM тракт радиоприемника, Ucc=1.8-7V
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TA2003P |
|
AM/FM тракт радиоприемника, Ucc=1.8-7V
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TA2003P |
|
AM/FM тракт радиоприемника, Ucc=1.8-7V
|
1
|
|
|
|