CDRH64BNP-331MC

SMD индуктивность экранированнная 330мкГн, +/-20%, 230мА

SMD индуктивность экранированнная
Номинал 330мкГн
Точность +/-20%
Сопротивление катушки 2.67Ом
Диапазон температур - 40 ... 100^оС
Ток номинальный 230мА

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SMD индуктивность экранированнная 330мкГн, +/-20%, 230мА

CDRH64BNP-331MC datasheet
96,33kB
4стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов		19 012	7.69
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	BM
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	CONNFLY
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов		19 012	7.69
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	KLS
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	NXU
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	RUICHI
DP-9C	Корпус к разъему D-SUB 9 контактов	CHINA	198	10 444.76
KN3(C)-101P ON-OFF	Тублер вкл/выкл. 250В,6 А
KN3(C)-101P ON-OFF	Тублер вкл/выкл. 250В,6 А
L6920DBTR		ST MICROELECTRONICS
L6920DBTR		STMicroelectronics
L6920DBTR		ST MICROELECTRONICS SEMI
L6920DBTR		STMICROELECTR
L6920DBTR			132	280.49
STC4054GR		ST MICROELECTRONICS
STC4054GR		STMicroelectronics
STC4054GR			1 000	169.03
STC4054GR		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
STC4054GR		ST MICROELECTRONICS SEMI	24
STC4054GR			1 000	169.03
STC4054GR		ST MICROELECTRO
STC4054GR		STMICROELECTR
TL431BQDBZR		TEXAS INSTRUMENTS
TL431BQDBZR		NXP
TL431BQDBZR				237.20
TL431BQDBZR		TEXAS
TL431BQDBZR		NEX-NXP

CDRH64BNP-331MC

SMD индуктивность экранированнная 330мкГн, +/-20%, 230мА

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Индукторы, катушки, дроссели

Чип индуктивности

С этим товаром покупают: