|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB892 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SB892 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SB892 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz
|
|
8
|
27.60
|
|
|
|
2SB892 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SB892 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz
|
JCET
|
|
|
|
|
|
47МКФ 50В (6.3Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
47МКФ 50В (6.3Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50В
|
|
|
9.00
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
39.11
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
|
57
|
86.40
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz
|
|
|
119.44
|
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
|
2 511
|
40.80
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
РИГА
|
1 200
|
16.00
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
RUS
|
|
|
|