Версия для печати
Технические характеристики BTS621L1

Корпус	P-TO220-7
Корпус (размер)	TO-220-7 Formed Leads
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение питания	5 V ~ 34 V
Ток - выходной (пиковое значение)	14A
Ток выходной / канал	4.4A
Сопротивление (On-State)	80 mOhm
Число выходов	2
Тип входа	Non-Inverting
Тип	High Side
Серия	PROFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

BTS621L1 Smart Two Channel Highside Power Switch (overload Protection Current Limitation Short Circuit Protection Thermal Shutdown) Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BTS621L1 datasheet 195.07Kb 14стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внутреннее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		533ИР22				200	147.42
		533ИР22			МЕЗОН	124	79.80
		533ИР22			МИКРОН	144	546.00
		533ИР22			RUS
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	238.14
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		465	88.20
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	217.80
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...		3	703.00
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	8	1 089.00
		НКИ 1.5-4				15 120	3.02
		НКИ 1.5-4			КВТ	3 695	6.10
		НКИ 1.5-4			KVT	28	3.22
		РПИ-М 1.5-(4.8)				4 800	2.77
		РПИ-М 1.5-(4.8)			КВТ	118	6.03

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"