|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
|
54
|
60.48
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS
|
2 054
|
52.56
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
HGSEMI
|
3 057
|
14.08
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
800
|
34.02
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
RCA
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
|
|
40.00
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS
|
265
|
56.19
|
|
|
|
CD4049UBE |
|
Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
279 727
|
3.07
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
24 757
|
5.41
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
116 296
|
2.99
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
29 216
|
8.93
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
|
309 797
|
3.70
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ТОМСК
|
8
|
2.10
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НИИПП ТОМСК
|
3 760
|
37.20
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
2 691
|
36.80
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
16 816
|
46.20
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 520
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
1 086
|
60.91
|
|