| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
|
|
17.00
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
 |
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
|
|
16.60
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RCBB102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
|
YAGEO
|
141 060
|
1.12
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RCBB102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RCBB102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RCBB102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, X7R, 10%, 1206, 1кВ
|
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
7 880
|
11.42
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
2 976
|
3.67
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
84 875
|
4.92
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
30.60
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
4 437
|
9.84
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
780
|
5.04
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
133 025
|
4.06
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
20 736
|
5.40
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.75
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
6.12
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
440
|
8.89
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
49 668
|
2.17
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
26 400
|
2.68
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2.83
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
56 640
|
3.55
|
|
|
|
|
HER104 (1A 300V) |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
