|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
6 444
|
5.31
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
13 386
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
992
|
2.95
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
9 080
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
61 438
|
1.84
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.06
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.17
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
EIC
|
4 544
|
8.00
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
DC COMPONENTS
|
4 966
|
7.19
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
YJ
|
14 867
|
4.78
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
PANJIT
|
1 955
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
DIOTEC
|
3 600
|
10.07
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
LTL
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
|
12 580
|
5.45
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
КИТАЙ
|
80
|
20.40
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
HOTTECH
|
8 000
|
6.89
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
BRIGHTKING
|
4
|
7.79
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
29
|
10.43
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
WUXI XUYANG
|
492
|
15.25
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
JJM
|
1 732
|
6.68
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
YANGJIE
|
4 400
|
4.38
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
GENERAL
|
1 540
|
8.00
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
LGE
|
2 904
|
8.54
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
MIC
|
8 460
|
3.01
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V
|
SHARP
|
|
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V
|
|
4
|
19.36
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V
|
SHARP
|
|
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PC817 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TOP224Y |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V , Pout=75W max
|
|
36
|
176.00
|
|
|
|
TOP224Y |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V , Pout=75W max
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
|
|
18.36
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСК
|
27
|
16.00
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
СЗТП
|
40
|
56.10
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|