Версия для печати
Технические характеристики M25P40-VMN6P

Корпус	8-SO
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	2.3 V ~ 3.6 V
Интерфейс подключения	SPI, 3-Wire Serial
Скорость	50MHz
Объем памяти	4M (512K x 8)
Тип памяти	FLASH
Формат памяти	FLASH
Серия	FortГ©™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		70061					2 520.00
		70061			TALEMA
		CPC1976Y		Реле пост. тока твердотельное 0.9 ... 1.4 В, 2А			1 428.92
		CPC1976Y		Реле пост. тока твердотельное 0.9 ... 1.4 В, 2А	CLARE
		CPC1976Y		Реле пост. тока твердотельное 0.9 ... 1.4 В, 2А	CPC
		CPC1976Y		Реле пост. тока твердотельное 0.9 ... 1.4 В, 2А	IXYS
		CPC1976Y		Реле пост. тока твердотельное 0.9 ... 1.4 В, 2А	LITTELFUSE
		CPC1976Y		Реле пост. тока твердотельное 0.9 ... 1.4 В, 2А	LITTLEFUSE
		LVR012S		Элемент защиты по току PolySwitch ( 240В, 120мА)	RAYCHEM
		LVR012S		Элемент защиты по току PolySwitch ( 240В, 120мА)			81.60
		LVR012S		Элемент защиты по току PolySwitch ( 240В, 120мА)	TYCO
		LVR012S		Элемент защиты по току PolySwitch ( 240В, 120мА)	RAYCHEM
		LVR012S		Элемент защиты по току PolySwitch ( 240В, 120мА)	TE Connectivity
		LVR012S		Элемент защиты по току PolySwitch ( 240В, 120мА)	TE
		LVR012S		Элемент защиты по току PolySwitch ( 240В, 120мА)	LTL/TE
		LVR012S		Элемент защиты по току PolySwitch ( 240В, 120мА)	LITTELFUSE
		PLT09HN2003R0P1B					338.00
		PLT09HN2003R0P1B			MUR
		PLT09HN2003R0P1B			MURATA	1 280	170.21
		PLT09HN2003R0P1B			MURATA
		PLT09HN2003R0P1B			TP-MUR	1 175	255.88
		WKA 508A			DINK

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"