FM1808-70-SG

Память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5:5.5В, -40°:+85°С, Pb-Free

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...	ALTERA	48	787.20
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...			600.00
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...	ALT
EPM240T100C5N	CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...	ALTERA	324
EPM7128ATC100-10		ALTERA
EPM7128ATC100-10				7 400.00
EPM7128ATC100-10		ALTERA
IDT71V321L25PFI		IDT
IDT71V321L25PFI				3 274.24
IDT71V321L25PFI		IDT
IDT71V321L25PFI		IDT, Integrated Device Technology Inc
IDTQS3257Q		IDT
IDTQS3257Q		IDT	2 354
REF192GSZ	Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS	ANALOG DEVICES
REF192GSZ	Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS	ANALOG
REF192GSZ	Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS	Analog Devices Inc
REF192GSZ	Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS	США
REF192GSZ	Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
REF192GSZ	Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS	ANALOG DEVICES	8
REF192GSZ	Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS	AD1
REF192GSZ	Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS