Версия для печати
Технические характеристики PIC18F2320-I/SO

Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	Internal
Преобразователи данных	A/D 10x10b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	4.2 V ~ 5.5 V
Размер памяти	512 x 8
EEPROM Size	256 x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	8KB (4K x 16)
Число вводов/выводов	25
Периферия	Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT
Подключения	I²C, SPI, UART/USART
Скорость	40MHz
Размер ядра	8-Bit
Процессор	PIC
Серия	PIC® 18F
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AM1D-0505SZ		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...	AIMTEC	4 280	323.72
		AM1D-0505SZ		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...		1	638.25
		AM1D-0505SZ		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...	КИТАЙ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		1 365	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	442	19.17
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	960	10.84
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BYD17J			PHILIPS
		BYD17J			PHILIPS	67
		BYD17J			PHILIPS SEMIC
		BYD17J			NXP
		BYD17J
		BYD17J
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В		60 769	1.26  >100 шт.   0.63
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KINGTRONICS
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	HOTTECH	428 229	1.47
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YJ	4 480	2.07
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YANGJIE
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YANGJIE (YJ)
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP/NEXPERIA
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	PHILIPS
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KLS	14 682	1.66  >100 шт.   0.83
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	HOTTECN	5 816	1.26
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	204.06
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс		4	160.02
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ТАИЛАНД
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO TECH	2 800	94.02
		IR2104S		Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO	255	79.23

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"