HIP4082IPZ
ИМС, DIP16
|
Версия для печати
| Корпус | 16-PDIP |
| Корпус (размер) | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 8.5 V ~ 15 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 95V |
| Число выходов | 4 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 1.4A |
| Время задержки | 75ns |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Конфигурация | H Bridge |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FDP3632 |
|
N-channel powertrench mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDP3632 |
|
N-channel powertrench mosfet | FSC |
|
|
|
|
|
|
FDP3632 |
|
N-channel powertrench mosfet |
|
328.00 | ||
|
|
|
FDP3632 |
|
N-channel powertrench mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDP3632 |
|
N-channel powertrench mosfet | ONS-FAIR |
|
|
|
 |
|
STGW30NC120HD |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 30 а семейства powermesh™ | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGW30NC120HD |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 30 а семейства powermesh™ | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGW30NC120HD |
|
N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 30 а семейства powermesh™ |
|
|
