|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3006P-1-105 |
|
Резистор подстроечный, (cermet, R=1 mOm, +/-10%, 100ppm, -55°C/+ 125°C)
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-105 |
|
Резистор подстроечный, (cermet, R=1 mOm, +/-10%, 100ppm, -55°C/+ 125°C)
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-105 |
|
Резистор подстроечный, (cermet, R=1 mOm, +/-10%, 100ppm, -55°C/+ 125°C)
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-105 |
|
Резистор подстроечный, (cermet, R=1 mOm, +/-10%, 100ppm, -55°C/+ 125°C)
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-105 |
|
Резистор подстроечный, (cermet, R=1 mOm, +/-10%, 100ppm, -55°C/+ 125°C)
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-105 |
|
Резистор подстроечный, (cermet, R=1 mOm, +/-10%, 100ppm, -55°C/+ 125°C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3006P-1-105 |
|
Резистор подстроечный, (cermet, R=1 mOm, +/-10%, 100ppm, -55°C/+ 125°C)
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-474 |
|
Подстроечный резистор 470K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-474 |
|
Подстроечный резистор 470K
|
|
|
37.20
|
|
|
|
3296W-1-474 |
|
Подстроечный резистор 470K
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-474 |
|
Подстроечный резистор 470K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296W-1-474 |
|
Подстроечный резистор 470K
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
BUL38D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 800V, 5A, 80W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUL38D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 800V, 5A, 80W
|
|
|
83.64
|
|
|
|
BUL38D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 800V, 5A, 80W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BUL38D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 800V, 5A, 80W
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUL38D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 800V, 5A, 80W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BUL38D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 800V, 5A, 80W
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4 938
|
20.66
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
10 839
|
9.49
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
YOUTAI
|
81 877
|
4.50
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TI (TEXAS INSTRUMENTS)
|
16 000
|
11.96
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW
|
2 720
|
6.89
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
45
|
132.60
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
|
1
|
115.20
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|