INA2126UA
ИМС Операционный усилитель инструментальный
|
Версия для печати
| Корпус | 16-SOIC N |
| Корпус (размер) | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 36 V, ±1.35 V ~ 18 V |
| Ток выходной / канал | 10mA |
| Ток выходной | 175µA |
| Напряжение входного смещения | 150µV |
| Ток - входного смещения | 10nA |
| Полоса пропускания -3Дб | 200kHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.4 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | Instrumentation |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
DP8573AN |
|
National Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
DP8573AN |
|
|
|
|||
|
|
|
DP8573AN |
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
 |
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | FSC |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) |
|
352.00 | ||
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | FSC1 |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) | ONS |
|
|
|
| MPC509AU/1K | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| MPC509AU/1K |
|
|
