IR2127SPBF

Версия для печати

Технические характеристики IR2127SPBF

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	12 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число выходов	1
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	250mA
Время задержки	200ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	High-Side
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DG350-3.5-02P-14-00A[H]		DEGSON ELECTRONICS	2	10.08
IR2117S	Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2117S	Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх			150.24
IR2117S	Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2117S	Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх	США
IR2117S	Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
IR2117S	Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх	INFINEON
LF33ABDT-TR		ST MICROELECTRONICS	392	232.15
LF33ABDT-TR		STMicroelectronics
LF33ABDT-TR		ST MICROELECTRONICS SEMI	418
LF33ABDT-TR
LM5110-1M		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5110-1M		NSC
LM5110-1M				144.56
LM5110-1M		КИТАЙ
LM5110-1M		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5110-1M		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC2G74DCTR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC2G74DCTR				84.00
SN74LVC2G74DCTR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC2G74DCTR		TEXAS
SN74LVC2G74DCTR		TEXAS INSTRUMEN