IRF1010NS


Hexfet power mosfets discrete n-channel

Купить IRF1010NS по цене 141.36 руб.  (без НДС 20%)
IRF1010NS
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRF1010NS цена радиодетали 141.36 

Версия для печати

Технические характеристики IRF1010NS

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 mOhm @ 43A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C85A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3210pF @ 25V
Power - Max180W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1010NS (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1010NS datasheet
292.6 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    MAL215061102E3 Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MAL215061102E3 Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход