IRF1010Z

Версия для печати

Технические характеристики IRF1010Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2840pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1010Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1010Z datasheet
304.6 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
VS-10CTQ150PBF		VISHAY/IR
VS-10CTQ150PBF		VISHAY
VS-10CTQ150PBF
И1533ЛН1
И1533ЛН1
К10-17Б-М1500-6800ПФ			737	47.25
К10-17Б-М1500-6800ПФ		RUS
КР1533ЛН1	ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ		91	52.50
КР1533ЛН1	ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ЗПП
КР1533ЛН1	ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	МИНСК	56	40.00
КР1533ЛН1	ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ЗПП МИНСК
КР1533ЛН1	ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ИНТЕГРАЛ
КР1533ЛН1	ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	RUS
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)		1 604	28.16
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	ЗПП
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	МИНСК
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	ЗПП МИНСК
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	ИНТЕГРАЛ	880	66.30
КР1533ТМ8	(SN74ALS175N)	RUS