IRF4905PBF


Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C), Pb-free.

Купить IRF4905PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF4905PBF  Полевые транзисторы HEXFETs  (irf4905)...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRF4905PBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 3 3-4 недели
Цена по запросу
IRF4905PBF 1 909 77.21 
IRF4905PBF (INFINEON) 212 165.06 

Полевые транзисторы HEXFETs  (irf4905) – это пятое поколение  полупроводниковых компонентов этого типа. Изделие разработано с использованием DMOS технологии и имеет чрезвычайно малое сопротивление на единицу площади используемого кремния. Транзистор (irf4905) обладает низким сопротивлением во включенном состоянии, что обеспечивает высокую переключающую способность. Изделие применяется при малых токах и низких напряжениях: в аппаратуре связи, в драйверах  и в других электронных устройствах. Данные HEXFET транзисторы чрезвычайно эффективны и надежны для использования в широком спектре приложений.
Особенности
Ультра малое сопротивление
Динамический уровень DV / DT
Рабочая температура 175 ° C
Быстрое переключение
Краткое описание
MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB
Соответствие директиве RoHS Да
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Полевые транзисторы
Серия HEXFET®FET тип MOSFET, P-канальные, Металлооксидные
FET функции Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 38A, 10V
Сток напряжения  (Vdss) 55V
Ток утечки  (Id) @ 25° C 74A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) @ Vds 3400pF @ 25V
Мощность, макс. 200W
Монтажный тип Сквозное отверстие

Версия для печати

Технические характеристики IRF4905PBF

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C74A
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 38A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3400pF @ 25V
Power - Max200W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF4905PBF

HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF4905PBF datasheet
178.6Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  2SK2544 Транзистор полевой N-MOS 600V, 6A, 100W   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  2SK2544 Транзистор полевой N-MOS 600V, 6A, 100W   TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  2SK2544 Транзистор полевой N-MOS 600V, 6A, 100W     Заказ радиодеталей 104.16 
IRF3205PBF Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205PBF Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF3205PBF Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...   INFINEON 240 38.38 
IRF3205PBF Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...     1 001 38.98 
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А     4 320 27.14 
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   IR/VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   MINOS 784 38.61 
PIC16F676-I/P Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...   MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
PIC16F676-I/P Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...     680 167.24 
PIC16F676-I/P Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...   MICRO CHIP 27 цена радиодетали
PIC16F676-I/P Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
PIC16F676-I/P Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ819ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN   КРЕМНИЙ 120 275.40 
КТ819ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN     106 210.00 
КТ819ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN   БРЯНСК 673 260.00 
КТ819ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN   ЭЛЕКТРОПРИБОР Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ819ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN   ФРЯЗИНО Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ819ГМ Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход