IRF620S

Версия для печати

Технические характеристики IRF620S

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	260pF @ 25V
Power - Max	3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF620S (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF620S datasheet
165.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт		1 200	24.24
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOS
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	ФИЛИППИНЫ
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...		921	21.23
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOS
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	СИНГАПУР
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	ISC	473	54.46
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	JSMICRO	1 410	25.06
MF-200-2-120КJ		HITANO
MF-200-2-120КJ		FAITHFUL LINK
MF-200-2-2.2J		HITANO
MF-200-2-2.2J		FAITHFUL LINK
MF-200-2-220J		FAITHFUL LINK
MF-200-2-220J		HITANO