IRF6608
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 13A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2120pF @ 15V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric ST |
| Корпус | DIRECTFET™ ST |
| Other Related Documents | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF6608 (Мощные полевые МОП транзисторы) Lhexfet Power Mosfet
Производитель:
|
