Версия для печати
Технические характеристики IRF6633TR1
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1250pF @ 10V |
| Power - Max | 2.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MP |
| Корпус | DIRECTFET™ MP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
