IRF6662TR1
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8.2A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V |
| Power - Max | 2.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MZ |
| Корпус | DIRECTFET™ MZ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
