Версия для печати
Технические характеристики IRF6665TR1
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Power - Max | 2.2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric SH |
| Корпус | DIRECTFET™ SH |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
