IRF730AS


Купить IRF730AS ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF730AS
Версия для печати

Технические характеристики IRF730AS

Gate Charge (Qg) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1 Ohm @ 3.3A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds600pF @ 25V
Power - Max74W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход