IRF7389TR
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.3A, 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6488 |
|
Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150 |
|
104.00 | ||||
| 2N6488 |
|
Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
 |
 |
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150 | ONS |
|
|
|
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150 |
|
|
||
|
|
|
2N6491 |
|
Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150 | ON SEMICONDUCTOR | 9 984 |
|
|
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | SANYO |
|
|
|||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | 3 | 38.72 | ||||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | КИТАЙ |
|
|
|||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | ONS |
|
|
|||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 2SC5707-E |
|
NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) | ONSEMI |
|
|
|||
| AF4502CSA |
|
800.00 | ||||||
| AF4502CSA | ANACHIP |
|
|
|||||
| STRA6259H | SANKEN |
|
|
|||||
| STRA6259H | SK |
|
|
|||||
| STRA6259H | 2 | 208.80 |
