![]() |
|
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11.5A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3529pF @ 10V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7420 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
![]() | JVR-07N560K Варистор для защиты РѕС‚ неблагоприятных переходных процессов Напряжение классификации  56ВНапряжение срабатывания РїРѕСЃС‚. ток  45ВДиапа... Купить |
![]() | P6BUI-050505ZLF DC/DC преобразователь Р Сощностью 1Р’С‚, РІС…РѕРґ 4.5:5.5Р’, 2 выхода Р С—Р С• 5Р’/100Р СР С’, изоляция 1000Р’ DC, DIP8(12.7x10.2x6.9Р СР С), -40:+85°С Купить |
![]() | HLMP-EG26-PS000 5 Р СР С alingap светодиод Купить |
|
Корзина
|