IRF7452
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 930pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7452 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9392PBF |
|
International Rectifier |
|
|
|||
| MJD44H11T4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD44H11T4G | ONS |
|
|
|||||
| MJD44H11T4G | ON SEMIC |
|
|
|||||
| MJD44H11T4G | ON SEMICONDUCTOR | 480 |
|
|||||
| MJD44H11T4G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD44H11T4G | 2 | 61.20 | ||||||
|
|
MJD45H11T4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MJD45H11T4G | ONS |
|
|
||||
|
|
MJD45H11T4G | ON SEMICONDUCTOR | 446 |
|
||||
|
|
MJD45H11T4G | ON SEMIC |
|
|
||||
|
|
MJD45H11T4G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MJD45H11T4G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||||
|
|
MJD45H11T4G |
|
|
|||||
| ТП112-11 (ТП132-11) | RUS |
|
|
|||||
| ТП112-11 (ТП132-11) | НПК-КОМПЛЕКС |
|
|
|||||
| ТП112-11 (ТП132-11) | КОМПЛЕКС |
|
|
