IRF7807

Версия для печати

Технические характеристики IRF7807

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 5V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7807 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7807 datasheet
203.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HIP2101IBZ		INTERSIL
HIP2101IBZ				556.80
IRF520N	Транзистор полевой N-Канальный 100В, 9.2А, 60Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF520N	Транзистор полевой N-Канальный 100В, 9.2А, 60Вт		2	153.60
IRF520N	Транзистор полевой N-Канальный 100В, 9.2А, 60Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF520N	Транзистор полевой N-Канальный 100В, 9.2А, 60Вт	МЕКСИКА
IRF520N	Транзистор полевой N-Канальный 100В, 9.2А, 60Вт	INFINEON
IRF520N	Транзистор полевой N-Канальный 100В, 9.2А, 60Вт	1
IRLR2905	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	79.05
IRLR2905	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...		2 480	24.10
IRLR2905	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	МЕКСИКА
IRLR2905	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...	INFINEON
IRU3037CS		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRU3037CS				316.00
IRU3037CS		INTERNATIONAL RECTIFIER
SUP18N15-95	N-channel 150-v (d-s) 175°c mosfet	VISHAY
SUP18N15-95	N-channel 150-v (d-s) 175°c mosfet			1 222.40