IRF820A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF820A		40.52

Версия для печати

Технические характеристики IRF820A

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	340pF @ 25V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF820AL (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=3.0ohm, Id=2.5A)

Также в этом файле: IRF820AS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF820A datasheet
133.85Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B32520-400В-0.033МКФJ		EPCOS
MF-0.5-1.0M 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.5-1.0M 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			1.32
MF-0.5-10K 5%	Резистор металлодиэлектрический аксиальный 10кОм, 5%, 0,5Вт	CHINA
MF-0.5-10K 5%	Резистор металлодиэлектрический аксиальный 10кОм, 5%, 0,5Вт		15	2.84
TMLM 05112		TRACO
TMLM 05112
ГТ402И	Биполярный транзистор			28.80
ГТ402И	Биполярный транзистор	БРЯНСК