![]() |
Структура транзистора: MOSFET |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4.8A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Power - Max | 125W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
Серия | PowerMESH™ |
IRF840 N - Channel Powermesh Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK555 | HITACHI SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
2SK555 | HITACHI SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
BUZ42 | INFINEON |
![]() |
![]() |
|||||
IRF841 |
![]() |
![]() |
||||||
КП777А |
![]() |
![]() |
||||||
КП777А | МИНСК |
![]() |
![]() |
|||||
КП777А |
![]() |
![]() |
||||||
КП777А | ИНТЕГРАЛ | 4 | 162.54 |
![]() | РљР•201 Р В Р’ВР РЋР Сџ.1 РљР РђРЎРќ. ВыключателРцРїСЂРСвЂР В РЎВеняются РІРїРѕРТвЂР  Р†Р СвЂР  В¶Р Р…ых РцнепоРТвЂР  Р†Р СвЂР  В¶Р Р…ых стацРСвЂР  С•нарных установках, втоРѠС‡РСвЂР ЎРѓР В»Р Вµ С…РСвЂР В РЎВостойкРСвЂР ЎвЂ¦ Р В РЎвЂР В Р’В·Р В РўвЂР  ВµР В»Р СвЂР ЎРЏРЎвЂ¦ Рцкузнечно-прессовоРѠРѕР±РѕСЂСѓРТвЂР  С•ванРСвЂР  С†Р С™Р С•Р СВР В РЎВСѓС‚РСвЂР ЎР‚... 686.40 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | Р РЋР В 50-807ФВ РЎРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…Р СвЂР ЎвЂљР ВµР В»Р С†РЎвЂљР СвЂР  С—Р В° Р РЋР В -50 Р В РўвЂР  В»РЎРЏ СЃРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…енРСвЂР РЋР РЏ байонетныРѠРСвЂР  В»Р С†РЎР‚езьбовыРѠСЃРїРѕСЃРѕР±РѕРѠСЂР°РТвЂР В РЎвЂР  С•частотных трактовс волновыРѠСЃРѕРїСЂРѕС‚РСвЂР  Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР  ВµР С 50 РћРСВ. Р”РСвЂР  В°Р С—азон частот РѕС‚ 300... 1637.60 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | MPXM2053D 50РєРїР°, РєРѕРСВпенсРСвЂР ЎР‚ованный РцкалРСвЂР  В±РЎР‚ованный Р В РўвЂР  В°РЎвЂљРЎвЂЎР СвЂР  С” Р В РўвЂР  В°Р Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР РЋР РЏ РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
|
Корзина
|