Версия для печати
Технические характеристики IRF9520S

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	390pF @ 25V
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRF9520S (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRF9520S datasheet 160.6 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz		172	15.11
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ST MICROELECTRONICS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	SOLID STATE DEVICES
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMI
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMI
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI	9
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	SIGNETICS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	STMicroelectronics
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	Micro Commercial Co
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ГЕРМАНИЯ
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	FSC
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ONS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	DIOTEC
		DEBF33A472ZA2B		Конденсатор керамический дисковый радальный 4.7пФ, 1000В, +8/-20%	Murata Electronics North America
		DEBF33A472ZA2B		Конденсатор керамический дисковый радальный 4.7пФ, 1000В, +8/-20%	MUR
		DEBF33A472ZA2B		Конденсатор керамический дисковый радальный 4.7пФ, 1000В, +8/-20%
		DEBF33A472ZA2B		Конденсатор керамический дисковый радальный 4.7пФ, 1000В, +8/-20%	MURATA
		MCT5211			QT OPTOELECTRONICS
		MCT5211			FAIR
		MCT5211				1	480.00
		MCT5211			FAIRCHILD	80	117.30
		MCT5211			FAIRCHILD
		MCT5211			QT OPTOELECTRONICS	72
		MCT5211			Fairchild Optoelectronics Group
		SS9018		NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz	SAMSUNG	1	1.83
		SS9018		NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
		SS9018		NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p		613	4.72
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	КРЕМНИЙ	1 600	12.24
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	СВЕТЛАНА
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	АЛЕКСАНДРОВ	3 994	4.00
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	БРЯНСК
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	НАЛЬЧИК
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	РИГА
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	МИНСК	8	2.00
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	ЭЛЕКС	800	11.73
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	RUS
		КТ3107Е		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"