IRFB16N50K

Версия для печати

Технические характеристики IRFB16N50K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2210pF @ 25V
Power - Max	280W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB16N50K (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFB16N50K datasheet
214.4 Кб