IRFB16N50K


Hexfet® power mosfet

Купить IRFB16N50K ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFB16N50K
Версия для печати

Технические характеристики IRFB16N50K

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs350 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C17A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2210pF @ 25V
Power - Max280W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB16N50K (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFB16N50K datasheet
214.4 Кб
MAX865EUA+
DC/DC, повышающий, Ind
Купить
WF-8R
вилка на плату 2.54мм угловая
Купить
AT89C52-20PC

Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход