IRFB17N60K

Версия для печати

Технические характеристики IRFB17N60K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	99nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2700pF @ 25V
Power - Max	340W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB17N60K (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFB17N60K datasheet
150.4 Кб