IRFB3207

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB3207		388.80

Версия для печати

Технические характеристики IRFB3207

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7600pF @ 50V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB3207 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB3207 datasheet
378.6 Кб