Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
IRFD110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3296Y-1-104 | BOURNS | |||||||
3296Y-1-104 | BOURNS | 300 | ||||||
3296Y-1-104 | Bourns Inc | |||||||
MCC-Y5V-50-1 | Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | HITANO | ||||||
MCC-Y5V-50-1 | Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | 10.80 | ||||||
Д9В СТ | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ | 1 024 | 4.00 | |||||
К10-17Б-680 М1500 5% | Керамический конденсатор 680 пФ 50 В | 46.00 | ||||||
РК-32.768КГЦ | 23.04 |
|