![]() |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
IRFD110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2Д103А/СО |
![]() |
![]() |
||||||
2Д103А/СО | САРАНСК |
![]() |
![]() |
|||||
2Д103А/СО | ОРБИТА |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
CM322522-101KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 1 | 15.83 | |
![]() |
![]() |
CM322522-101KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
![]() |
19.84 | ||
![]() |
![]() |
CM322522-101KL |
![]() |
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
![]() |
![]() |
|
MCC-Y5V-50-1 |
![]() |
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | HITANO |
![]() |
![]() |
|||
MCC-Y5V-50-1 |
![]() |
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В |
![]() |
10.80 | ||||
К10-17Б-56 М47 5% |
![]() |
Керамический конденсатор 56 пФ 50 В |
![]() |
47.04 |
|
Корзина
|