Версия для печати
Технические характеристики IRFI840G

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack, Isolated
Корпус	TO-220-3

IRFI840G (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRFI840G datasheet 156.5 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	193.80
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	360.00
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом			260.00
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INFINEON
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	140	1.60
		MMBT5551LT1G			ONS
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	5 108
		MMBT5551LT1G				320	1.05
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTO
		MMBT5551LT1G			ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5551LT1G			SEMTECH
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTOR
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	VISHAY
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONS	1 816	79.70
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A		8 080	10.20
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTOR	580
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMIC
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONSEMICONDUCTOR
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTO
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONSEMI
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	1
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	JSMICRO	5 685	3.16
		SK025M2200B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В	YAGEO
		SK025M2200B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В	YAGEO
		SK025M2200B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK025M2200B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK025M2200B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"