IRFI840GLC


N-MOS+D 500V, 4.5A, 40W

Купить IRFI840GLC по цене 180.00 руб.  (без НДС 20%)
IRFI840GLC
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRFI840GLC цена радиодетали 180.00 

Версия для печати

Технические характеристики IRFI840GLC

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs850 mOhm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1100pF @ 25V
Power - Max40W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Full Pack, Isolated
КорпусTO-220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFI840GLC (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFI840GLC datasheet
181.4 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   INTERNATIONAL RECTIFIER 8 143.64 
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A     2 378.00 
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2153 Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A   4-7 НЕДЕЛЬ 276 цена радиодетали
  WH4004A-YYH-CT ЖКИ 40х4, англо-русский   WINSTAR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  WH4004A-YYH-CT ЖКИ 40х4, англо-русский     Заказ радиодеталей 2 829.88 
    К73-9-3300ПФ 630В (5%)       Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс     92 69.92 
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс   ФОТОН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс   СЗТП 4 325.08 
КД2999А Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ825Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А   КРЕМНИЙ 191 850.50 
КТ825Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А     29 629.00 
КТ825Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А   БРЯНСК 193 1 312.50 
КТ825Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А   СИТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ825Г Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход