IRFL210PBF
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 580mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 960mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFL210PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAW62 | FAIR |
|
|
||||
|
|
BAW62 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BAW62 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BAW62 | NXP |
|
|
||||
|
|
BAW62 |
|
|
|||||
|
|
BAW62 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BAW62 | PHILIPS | 36 |
|
||||
|
|
BAW62 | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
BAW62 | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
BAW62 | NXP | 2 367 |
|
||||
 |
|
BSS119 |
|
Транзистор полевой SMD, MOSFET, N-CH , 100V, 170мA |
|
6.32 | ||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | NXP |
|
|
||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | VISHAY |
|
|
||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод |
|
56.20 | |||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | КИТАЙ |
|
|
||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 3 180 | 6.15 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 8 009 | 6.59 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI | 72 | 12.05 | |||||
| MJD50T4G | ONS |
|
|
|||||
| MJD50T4G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MJD50T4G |
|
|
||||||
| MJD50T4G | ON SEMICONDUCTOR | 157 |
|
