|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
UTC
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
|
40 400
|
4.68
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
266
|
15.30
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
WINGSHING
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
-
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ANK
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
WS
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
HOTTECH
|
4 644
|
8.77
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
CJ
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
KEXIN
|
3 111
|
10.88
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
ZH
|
38 400
|
5.06
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
LGE
|
|
|
|
|
|
78L05 |
|
Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.
|
UMW
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
DC COMPONENTS
|
22 596
|
1.92
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
|
|
16.00
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
DIOTEC
|
10 989
|
3.67
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
NXP
|
1 239
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
PHILIPS
|
1 684
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
HOTTECH
|
7 208
|
1.28
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
YJ
|
358 513
|
1.44
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS40-04 |
|
Диод Шоттки
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
294 804
|
2.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
64 805
|
2.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
735 865
|
1.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
397 593
|
1.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
2.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 249 956
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
426 707
|
1.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
997 968
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
36 704
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 910
|
1.60
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
|
|
45.12
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
EVVO
|
1 950
|
23.23
|
|
|
|
MMBF4392LT1G |
|
N-канальный (Vgs=30V, Igf=50mA, P=225mW, T=-55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBF4392LT1G |
|
N-канальный (Vgs=30V, Igf=50mA, P=225mW, T=-55 to +150C)
|
|
|
88.40
|
|
|
|
MMBF4392LT1G |
|
N-канальный (Vgs=30V, Igf=50mA, P=225mW, T=-55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBF4392LT1G |
|
N-канальный (Vgs=30V, Igf=50mA, P=225mW, T=-55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|