IRFP17N50L

Версия для печати

Технические характеристики IRFP17N50L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 9.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2760pF @ 25V
Power - Max	220W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP17N50L (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFP17N50L datasheet
210 Кб