IRFP22N50A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP22N50A		324.12

Версия для печати

Технические характеристики IRFP22N50A

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	22A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3450pF @ 25V
Power - Max	277W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP22N50A (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFP22N50A datasheet
105.55Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5296	Биполярный транзистор NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 60W, Tf<200nS	SANYO
2SC5296	Биполярный транзистор NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 60W, Tf<200nS	SAN
2SC5296	Биполярный транзистор NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 60W, Tf<200nS			150.52
2SC5296	Биполярный транзистор NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 60W, Tf<200nS	ТАИЛАНД
KSC5802A	NPN 1500V, 10A, 60W, Tf<300nS (Tip.100)	FAIR
KSC5802A	NPN 1500V, 10A, 60W, Tf<300nS (Tip.100)
KSC5802A	NPN 1500V, 10A, 60W, Tf<300nS (Tip.100)
KSC5802A	NPN 1500V, 10A, 60W, Tf<300nS (Tip.100)	FAIRCHILD	40	311.10
SH250M4R70B5S-1012	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 250 В	YAGEO
SH250M4R70B5S-1012	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SH250M4R70B5S-1012	Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 250 В
STK4151 II		SANYO
STK4151 II				416.48
TA8264AHQ	УЗМЧ 41 W BTL × 4 ch, Audio Power IC	TOSHIBA
TA8264AHQ	УЗМЧ 41 W BTL × 4 ch, Audio Power IC			576.00
TA8264AHQ	УЗМЧ 41 W BTL × 4 ch, Audio Power IC	TOS